RIFTRIFT AI 价格

高盛首次覆盖长鑫科技并给予买入评级，预计其到2030年将把产能提高至目前的两倍以上，以满足强劲的需求。高盛给予长鑫科技129元人民币的目标价，较上周五收盘价有122%的上涨空间。该目标价基于2027年24倍的预期市盈率以及到2028年每股收益77%的平均增速，受人工智能支出和客户多元化推动。高盛预计，到2028年，长鑫的产能仍只能满足中国约50%的DRAM需求和40%的高带宽内存(HBM)需求。与三星电子和SK海力士相比，长鑫在技术上仍落后约两到三代。

韩国KOSPI指数跌幅扩大至2% 三星电子跌超7%

格隆汇8月24日｜半导体产业研究机构SemiAnalysis发布文章指出，当3D NAND堆叠层数突破约300层后，传统以钨制作的字线逐渐面临物理与制程限制，钼可能成为高层数NAND不可避免的材料选择。分析指出，相较于钨，钼在高层数3D NAND结构中具有三项关键优势：首先，钼的电阻较低，有助于提升记忆体读写速度；其次，钼制程不需要使用氟基化学工艺；第三，钼在高深宽比结构中的填充能力较佳。 SemiAnalysis预估，钼在全球NAND总产能中的占比，将从2025年的个位数中段百分比，提升至2027年约30%。估计，光是2027年一年，NAND钼沉积设备市场规模就可能超过10亿美元。若后续DRAM与逻辑芯片也逐步采用钼相关制程，整体钼沉积设备市场到2030年可能进一步成长至每年约20亿美元。 设备供应商方面，泛林集团预期将率先受惠，东京电子则紧随其后。应用材料、阿斯麦以及北方华创则可能更多受惠于后续DRAM及逻辑芯片导入钼制程所带来的需求。