HIGHHighstreet 价格

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HIGH 实时价格图表

1970-01-01 00:00
价格: --

Highstreet(HIGH)实时价格数据

HIGH(Highstreet)当前价格为$0.031 ,当前市值为$0.00

Highstreet(HIGH)最近24小时表现

今日价格变化
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24h 成交额(USD)
$0.00
24h 最高(USD)
$0.031
24h 最低(USD)
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Highstreet(HIGH)市场关键表现

总市值
$3.10M
历史最高
$900.00
历史最低
$0.019
发行总量
100.00M
发行时间
2022-01-01

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Highstreet (HIGH) 价格表现

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日期比较
金额变动
涨跌幅 (%)
最高价
最低价
今日
$0.00
0.00%
$0.031
$0.031
30天
$0.0₂11
+3.67%
$0.086
$0.026
60天
$0.0₂76
+32.47%
$0.086
$0.023
90天
$0.0₂60
+24.00%
$0.086
$0.019
一年
$0.26
-89.66%
$0.63
$0.019
至今
$8.96
-99.65%
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Highstreet(HIGH) 代币经济学

查看HIGH的解锁进度与后续解锁计划

比例分配
  • Advisors2.00%
  • Binance Launchpool1.00%
  • Early Investors1.00%
  • Ecosystem Reserve9.49%
  • Marketing & Partnerships4.00%
  • Play-to-Earn Rewards30.00%
  • Private Sales32.83%
  • Public Sale2.50%
  • Team8.00%
  • Treasury9.18%
解锁进度
  • 已解锁
    81.17M HIGH81.16%
  • 已锁定
    18.83M HIGH18.83%
  • 未追踪
    -- 0.00%

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快讯

Wednesday 9-9
00:45
据首尔经济日报,三星电子将与全球最大的光刻设备制造商ASML共同开发高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作,即将自20世纪80年代以来一直使用的6英寸光掩模版转向12英寸版本,并力争率先基于高NA EUV设备建立DRAM量产体系。三星计划从2028年开始将高NA EUV设备应用于DRAM生产,随后进一步将这项技术扩展至1.4纳米先进逻辑工艺,以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补EUV技术的局限。高NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%,能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的6英寸掩模版替换为12英寸掩模版,可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
据首尔经济日报,三星电子将与全球最大的光刻设备制造商ASML共同开发高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作,即将自20世纪80年代以来一直使用的6英寸光掩模版转向12英寸版本,并力争率先基于高NA EUV设备建立DRAM量产体系。三星计划从2028年开始将高NA EUV设备应用于DRAM生产,随后进一步将这项技术扩展至1.4纳米先进逻辑工艺,以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补EUV技术的局限。高NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%,能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的6英寸掩模版替换为12英寸掩模版,可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
00:40
格隆汇9月9日|据首尔经济日报,三星电子将与全球最大的光刻设备制造商ASML共同开发高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作,即将自20世纪80年代以来一直使用的6英寸光掩模版转向12英寸版本,并力争率先基于高NA EUV设备建立DRAM量产体系。三星计划从2028年开始将高NA EUV设备应用于DRAM生产,随后进一步将这项技术扩展至1.4纳米先进逻辑工艺,以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补EUV技术的局限。高NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%,能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的6英寸掩模版替换为12英寸掩模版,可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
格隆汇9月9日|据首尔经济日报,三星电子将与全球最大的光刻设备制造商ASML共同开发高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作,即将自20世纪80年代以来一直使用的6英寸光掩模版转向12英寸版本,并力争率先基于高NA EUV设备建立DRAM量产体系。三星计划从2028年开始将高NA EUV设备应用于DRAM生产,随后进一步将这项技术扩展至1.4纳米先进逻辑工艺,以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补EUV技术的局限。高NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%,能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的6英寸掩模版替换为12英寸掩模版,可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。

什么是HIGH

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关于HIGH的其他问题

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